Samsung разработала новую технологию создания радиочастотных модулей 5G на базе 8-нм техпроцесса

  • 14.06.2021, 18:31
  • 3 633
  • Samsung Electronics представила новейшую радиочастотную технологию на базе 8-нанометрового (нм) техпроцесса.

    Samsung разработала новую технологию создания радиочастотных модулей 5G на базе 8-нм техпроцесса

    Новая технология производства подойдет для создания «однокристальных решений», в частности, чипов 5G с поддержкой многоканальных и многоантенных микросхем. Благодаря этому Samsung расширяет лидирующие позиции на рынке как на 5G-полупроводниковые решения для диапазона Sub-6, так и миллиметрового диапазона (mmWave).

    8-нанометровый технологический техпроцесс для радиомодулей, представленный Samsung — последнее пополнение обширного портфолио радиочастотных решений компании, которое также включает 28-нм и 14-нм разработки. Компания Samsung удерживает лидерство в этой области, благодаря поставкам более 500 миллионов радиочастных микросхем для премиальных смартфонов начиная с 2017 года.

    Новая архитектура Samsung RFeFET™

    Благодаря продолжающемуся масштабированию и расширению цифровых узлов производительность, энергопотребление и площадь (PPA) цифровых схем значительно улучшились, тогда как в случае с аналоговыми / радиочастотными микросхемами этого не произошло по таким причинам, как негативное взаимное влияние побочного излучения элементов при уменьшении размеров радиоэлектронных модулей. В результате, у большинства чипов связи ухудшаются радиохарактеристики, в частности, уменьшается чувствительность, способность принимать слабые по интенсивности радиосигналы и повышается энергопотребление.

    Для решения этой проблемы Samsung разработала уникальную архитектуру для 8-нм радиочипов, под названием RFextremeFET (RFeFET™). Она позволяет существенно улучшить показатели и снизить потребление энергии. По сравнению с предыдущими 14-нм решениями, RFeFET™ сочетает цифровое PPA-масштабирование с повышением качества аналогового/RF-масштабирования, благодаря чему растет производительность 5G-платформ.

    Разработанный компанией процесс повышает параметры каждого из поддерживаемых частотных диапазонов (для многоканальных и многоантенных решений), при этом сокращая негативное взаимное побочное влияние. Поскольку архитектура RFeFET™ значительно повышает производительность решения, то суммарное количество радиотранзисторов и площадь аналоговых радиоблоков могут быть уменьшены.

    По сравнению с 14-нм техпроцессом, благодаря инновационной разработке RFeFET™ 8-нм решение Samsung повышает энергоэффективность на 35% и сокращает площадь радиочастотного модуля на 35%.

    * Наш канал в Telegram - @tvnews_by

    * Мы в "Яндекс.Новостях" - подпишись!


    * Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

    тэги

    Samsung 5G

    Рейтинг:

    (0)
    TVnews.by